Transistor de canal N BSP297, SOT-223, 200V. Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BSP297. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. RoHS: no. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27