Transistor de canal N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 20pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 9pF. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Equivalentes: BSS123-7-F. Función: serigrafía/código SMD SA. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 680mA. Marcado en la caja: SA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora del nivel lógico del transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.6V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.6V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31