Transistor de canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 23pF. Cantidad por caja: 1. Características: -. Corriente de drenaje: 170mA. Costo): 6pF. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Función: serigrafía/código SMD SA. IDss (mín.): 10uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 150mA. Identificación (diablillo): 600mA. Información: -. MSL: 1. Marcado del fabricante: BSS123-7-F. Marcado en la caja: SA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Polaridad: unipolares. Potencia: 360mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Rds on (max) @ id, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. Resistencia en el estado: 6 Ohms. RoHS: sí. Serie: -. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±20V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de accionamiento: -. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31