transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0586€
50-99
0.0512€
100-199
0.0463€
200+
0.0396€
Cantidad en inventario: 2392
Mín.: 10

Transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 50pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 25pF. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 1A. Marcado en la caja: SS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Peso: 0.008g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

BSS138-7-F
33 parámetros
DI (T=25°C)
0.2A
Resistencia en encendido Rds activado
1.4 Ohms
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaje Vds(máx.)
50V
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
50pF
Cantidad por caja
1
Costo)
25pF
IDss (mín.)
0.5uA
Identificación (diablillo)
1A
Marcado en la caja
SS
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD SS
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.3W
Peso
0.008g
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Modo de mejora del nivel lógico
Td(apagado)
20 ns
Td(encendido)
20 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
3000
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.5V
Producto original del fabricante
Diodes Inc
Cantidad mínima
10