transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0889€
50-99
0.0771€
100-199
0.0703€
200+
0.0600€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 274
Mín.: 10

Transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.7 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 27pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 220mA. Costo): 13pF. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 0.88A. Marcado en la caja: SS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Polaridad: unipolares. Potencia: 360mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 2.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Voltaje de fuente de drenaje: 50V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BSS138
35 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
DI (T=25°C)
0.22A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.7 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaje Vds(máx.)
50V
C(pulg)
27pF
Cantidad por caja
1
Corriente de drenaje
220mA
Costo)
13pF
IDss (mín.)
0.5uA
Identificación (diablillo)
0.88A
Marcado en la caja
SS
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD SS
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.36W
Polaridad
unipolares
Potencia
360mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
Modo de mejora del nivel lógico
Td(apagado)
20 ns
Td(encendido)
2.5 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.8V
Vgs(th) mín.
0.8V
Voltaje de fuente de drenaje
50V
Producto original del fabricante
Fairchild
Cantidad mínima
10

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