Transistor de canal N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 250V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 76pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.03A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: STs. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.7 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56