Transistor de canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SOT54. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 8.5pF. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Very fast switching, Logic level compatible. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 0.8A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 10:31