Transistor de canal N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 8.5pF. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Cambio muy rápido. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 0.8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: compatible con nivel lógico. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31