Transistor de canal N BTS3205G, SO8, 42V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.78W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.6A. Familia de componentes: low-side MOSFET. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45us. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 38us. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24