transistor de canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V

transistor de canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V

Cantidad
Precio unitario
1-4
14.25€
5-9
12.92€
10-24
11.96€
25-49
11.28€
50+
10.23€
Cantidad en inventario: 18

Transistor de canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-5-11. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 11A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BTS432E2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 5. Número de terminales: 5. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80us. RoHS: sí. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 300us. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 19:33

Documentación técnica (PDF)
BTS432E2
19 parámetros
Resistencia en encendido Rds activado
38m Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220-5-11
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
42V
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
125W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.038 Ohms @ 2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
11A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
BTS432E2
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
5
Número de terminales
5
Retardo de desconexión tf[nseg.]
80us
RoHS
Spec info
PROFET N-MOS 43V 11A
Temperatura máxima
+150°C.
Tiempo de encendido ton [nseg.]
300us
Producto original del fabricante
Infineon Technologies