Transistor de canal N BTS5210LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Vivienda: P-DSO-12. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BTS5210L. Número de terminales: 12:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270us. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 250us. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25