transistor de canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V
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Transistor de canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V. Vivienda: P-DSO-20. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 34V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 3.7W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.9A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BTS721L1. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 400us. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 400us. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:37
BTS721L1
14 parámetros
Vivienda
P-DSO-20
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
34V
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
3.7W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.01 Ohms @ 2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
2.9A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
BTS721L1
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
400us
RoHS
sí
Temperatura máxima
+150°C.
Tiempo de encendido ton [nseg.]
400us
Producto original del fabricante
Infineon