transistor de canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

transistor de canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.71€
5-24
1.49€
25-49
1.34€
50-99
1.23€
100+
1.05€
Cantidad en inventario: 31

Transistor de canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.064 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT-78 ( TO220AB ). Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 90pF. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Función: Automoción, conmutación de potencia, motor de 12 V y 24 V.. IDss (mín.): 0.05uA. Identificación (diablillo): 81A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:31

Documentación técnica (PDF)
BUK9575-55A
33 parámetros
DI (T=100°C)
14A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
500uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.064 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-78 ( TO220AB )
Voltaje Vds(máx.)
55V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
440pF
Cantidad por caja
1
Costo)
90pF
Diodo Trr (Mín.)
33 ns
Función
Automoción, conmutación de potencia, motor de 12 V y 24 V.
IDss (mín.)
0.05uA
Identificación (diablillo)
81A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
62W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(apagado)
28 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Temperatura
+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
10V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors