Transistor de canal N BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.018 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): P-TO263-3-2. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1220pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 410pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57