transistor de canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V

transistor de canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-49
1.64€
50+
1.34€
Cantidad en inventario: 409

Transistor de canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 7A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BUZ73LH. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38

Documentación técnica (PDF)
BUZ73LH
16 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
200V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
840pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
40W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 3.5A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
7A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
BUZ73LH
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
130 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
20 ns
Producto original del fabricante
Infineon