Transistor de canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 460pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 55pF. Diodo Trr (Mín.): 350 ns. Función: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 11.5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Siemens. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57