Transistor de canal N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 156A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tecnología: Field Effect Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Chino-excel Technology Corp. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:27