Transistor de canal N CM200DY-24H, 200A, otro, otro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Vivienda: otro. Vivienda (según ficha técnica): otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 40pF. Corriente del colector: 200A. Costo): 14pF. Dimensiones: 108x62x31mm. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: Transistor IGBT dual (aislado). Ic (pulso): 400A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 7. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta potencia. Td(apagado): 300 ns. Td(encendido): 250 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:27