Transistor de canal N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caja de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024...0.042 Ohms. Vivienda: WSON6. Vivienda (según ficha técnica): Caja de plástico de 2 mm × 2 mm. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 260pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 140pF. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 57A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 17W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 4.2 ns. Td(encendido): 2.8 ns. Tecnología: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Producto original del fabricante: Texas Instruments. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19