transistor de canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V

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1.18€
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Transistor de canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 590/631pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 6A/-4.2A. Familia de componentes: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marcado del fabricante: C3025LS. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14.5/28.2 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.2V/-2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11.2 ns/7.5 ns. Producto original del fabricante: Diodes Zetex. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25

Documentación técnica (PDF)
DMHC3025LSD-13
16 parámetros
Vivienda
SO8
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
30V/-30V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
590/631pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
1.5W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
6A/-4.2A
Familia de componentes
MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS
Marcado del fabricante
C3025LS
Número de terminales
8:1
Retardo de desconexión tf[nseg.]
14.5/28.2 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
1.2V/-2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
11.2 ns/7.5 ns
Producto original del fabricante
Diodes Zetex