Transistor de canal N ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 300pF. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) ECX10P20. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Producto original del fabricante: Exicon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:03