transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.80€
5-24
3.39€
25-49
3.06€
50-99
2.79€
100+
2.41€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 9

Transistor de canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1148pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 671pF. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Función: ID pulse 33A. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 33A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 119 ns. Td(encendido): 34 ns. Tecnología: SuperFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19

Documentación técnica (PDF)
FCP11N60
28 parámetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.32 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
1148pF
Cantidad por caja
1
Costo)
671pF
Diodo Trr (Mín.)
390 ns
Función
ID pulse 33A
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
33A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
125W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
119 ns
Td(encendido)
34 ns
Tecnología
SuperFET MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Fairchild

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