transistor de canal N FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

transistor de canal N FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.15€
5-24
4.56€
25-49
4.12€
50+
3.73€
Cantidad en inventario: 40

Transistor de canal N FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.31 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1495pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 235pF. Diodo Trr (Mín.): 490 ns. Función: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 66A. Marcado en la caja: FDA16N50. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 205W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: Cargo de puerta bajo. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: UniFET MOSFET, DMOS technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19

FDA16N50-F109
32 parámetros
DI (T=100°C)
9.9A
DI (T=25°C)
16.5A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.31 Ohms
Vivienda
TO-3PN ( 2-16C1B )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PN
Voltaje Vds(máx.)
500V
C(pulg)
1495pF
Cantidad por caja
1
Costo)
235pF
Diodo Trr (Mín.)
490 ns
Función
PDP TV, Uninterruptible Power Supply
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
66A
Marcado en la caja
FDA16N50
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
205W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
Cargo de puerta bajo
Td(apagado)
65 ns
Td(encendido)
40 ns
Tecnología
UniFET MOSFET, DMOS technology
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Fairchild