Transistor de canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. DI (T=100°C): -. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0087 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1970pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:47