transistor de canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V

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Transistor de canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V. Vivienda: SUPERSOT-6. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 8V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.7W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 1.5A/1.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 6. Retardo de desconexión tf[nseg.]: -. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: -. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
FDC6324L
11 parámetros
Vivienda
SUPERSOT-6
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
8V
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.7W
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
1.5A/1.5A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Número de terminales
6
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
3V
Producto original del fabricante
Onsemi (fairchild)