Transistor de canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Vivienda: SSOT-6, SuperSOT-6. : mejorado. Cargar: 3.2nC. Corriente de drenaje: 2.5A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.96W. RoHS: sí. Tecnología: PowerTrench®. Tipo de transistor: N-MOSFET x2. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:22