Transistor de canal N FDD5690, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 9A, 30A, 1uA, 0.023 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1110pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1110pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 150pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 30A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: DC/DC Converter, Low gate charge (23nC). Identificación (diablillo): 100A. Marcado del fabricante: FDD5690. Marcado en la caja: FDD5690. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:47