Transistor de canal N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0088 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19