transistor de canal N FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.60€
5-24
3.18€
25-49
2.81€
50+
2.57€
Cantidad en inventario: 258

Transistor de canal N FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 8.2M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5070pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 550pF. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 69 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:47

Documentación técnica (PDF)
FDD6672A
29 parámetros
DI (T=100°C)
50A
DI (T=25°C)
65A
Idss (máx.)
1uA
Resistencia en encendido Rds activado
8.2M Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
5070pF
Cantidad por caja
1
Costo)
550pF
Función
Convertidor de voltaje CC/CC
Identificación (diablillo)
100A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
Transistor controlado por nivel lógico
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
70W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
69 ns
Td(encendido)
17 ns
Tecnología
Power Trench MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
12V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
0.8V
Producto original del fabricante
Fairchild