Transistor de canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 61m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 575pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 64pF. Diodo Trr (Mín.): 56.4 ns. Función: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: High performance trench technology. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 56.8W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Resistencia RDS(on) extremadamente baja. Td(apagado): 15.8 ns. Td(encendido): 10.3 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19