transistor de canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.03€
5-49
0.85€
50-99
0.76€
100+
0.67€
Cantidad en inventario: 25

Transistor de canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 880pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 195pF. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. IDss (mín.): 1uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) mín.: 1.2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19

Documentación técnica (PDF)
FDD8878
30 parámetros
DI (T=100°C)
11A
DI (T=25°C)
40A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.011 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
880pF
Cantidad por caja
1
Costo)
195pF
Diodo Trr (Mín.)
23 ns
Función
Convertidor de voltaje CC/CC
IDss (mín.)
1uA
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
39 ns
Td(encendido)
7 ns
Tecnología
Power Trench MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) mín.
1.2V
Producto original del fabricante
Fairchild