Transistor de canal N FDN335N, SuperSOT-3. Vivienda: SuperSOT-3. : mejorado. Cargar: 5nC. Corriente de drenaje: 1.7A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.5W. Propiedades del semiconductor: Nivel lógico. RoHS: sí. Tecnología: PowerTrench®. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 20V. Voltaje de fuente de puerta: ±8V. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:09