transistor de canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v
| +25 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad! | |
| Cantidad en inventario: 2192 |
Transistor de canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 19m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 475pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 13nC. Corriente de drenaje: 8.5A. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 40A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de salidas: 1. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Polaridad: unipolares. Potencia: 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 5 ns. Tecnología: MOSFET, PowerTrench®. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41