Transistor de canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Vivienda: SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 25V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 9.5pF. Características: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.22A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 0.22A. Información: -. Marcado del fabricante: 301. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Polaridad: MOSFET N. Rds on (max) @ id, VGS: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 8 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: 8V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 301. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Tipo de montaje: SMD. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27