Transistor de canal N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. C(pulg): 2915pF. Cargar: 284nC. Collector Peak Current IP [A]: 180A. Corriente del colector Ic [A]: 60A. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 47ms. Diodo de germanio: no. Embalaje: tubus. Emisor - voltaje de puerta: ±20V. Función: Inversor solar, UPS, Estación de soldadura, PFC, Telecomunicaciones, ESS. Ic (pulso): 180A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. Potencia: 300W. RoHS: sí. Td(apagado): 104 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Field Stop IGBT. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: IGBT. Voltaje (coleccionista - emisor): 650V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00