Transistor de canal N FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Vivienda: TO-3PN. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 11A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: FQA11N90C. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22