Transistor de canal N FQA13N80-F109, TO-3PN ( 2-16C1B ), 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN, 800V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.58 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2700pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 275pF. Diodo Trr (Mín.): 850 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 12.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 50.4A. Marcado del fabricante: FQA13N80. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 320 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 155 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41