Transistor de canal N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.91 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 900V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2530pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 215pF. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 7.2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 28A. Marcado del fabricante: FQAF11N90C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41