Transistor de canal N FQD19N10L, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 160pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Equivalentes: FQD19N10LTM. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 62.4A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41