transistor de canal N FQD30N06L, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal N FQD30N06L, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.55€
5-24
1.30€
25-49
1.13€
50-99
1.02€
100+
0.88€
Cantidad en inventario: 22

Transistor de canal N FQD30N06L, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.031 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 270pF. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 96A. Marcado en la caja: 30N06L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41

Documentación técnica (PDF)
FQD30N06L
31 parámetros
DI (T=100°C)
15A
DI (T=25°C)
24A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.031 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
800pF
Cantidad por caja
1
Costo)
270pF
Diodo Trr (Mín.)
55 ns
Función
Transistor MOSFET controlado por nivel lógico
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
96A
Marcado en la caja
30N06L
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
44W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
55 ns
Td(encendido)
15 ns
Tecnología
DMOS, QFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Fairchild