Transistor de canal N FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 3.67A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.258 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 220pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 55pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Cargo de puerta bajo. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 5.8A. Marcado en la caja: FQD7N10L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41