Transistor de canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. DI (T=100°C): 7.4A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.53 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1760pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2290pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 182pF. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 225W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 12A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 48A. Marcado del fabricante: FQP12N60C. Marcado en la caja: FQP12N60C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 280 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 70 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41