Transistor de canal N FQP13N10, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.142 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 345pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 72 ns. Función: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 51.2A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Peso: 2.07g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 5 ns. Tecnología: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41