Transistor de canal N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1580pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 52A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 195W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: carga de puerta baja (típica 43 nC). Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41