Transistor de canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.078 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 165pF. Diodo Trr (Mín.): 78 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 76A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41