Transistor de canal N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1150pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 320pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 132A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 127W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41