Transistor de canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 37.1A. DI (T=25°C): 52.4A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1250pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1630pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 445pF. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 121W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 52.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 210A. Marcado del fabricante: FQP50N06L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 121W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. RoHS: sí. Spec info: Nivel lógico. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41