transistor de canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

transistor de canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.52€
5-24
2.19€
25-49
1.93€
50-99
1.79€
100+
1.59€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 34

Transistor de canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 515pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 55pF. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 15 nC, Crss bajo 6,5 pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 18A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41

Documentación técnica (PDF)
FQP5N60C
30 parámetros
DI (T=100°C)
2.6A
DI (T=25°C)
4.5A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
2 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
515pF
Cantidad por caja
1
Costo)
55pF
Diodo Trr (Mín.)
300 ns
Función
Cambio rápido, carga de puerta baja 15 nC, Crss bajo 6,5 pF
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
18A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
100W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
38 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Fairchild

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