Transistor de canal N FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.57 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1290pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 120pF. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 27 nC, Crss bajo 10 pF. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 26.4A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41