transistor de canal N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

transistor de canal N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.81€
5-24
5.23€
25-49
4.84€
50-99
4.52€
100+
4.03€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 53

Transistor de canal N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 45 nC, Crss bajo 14 pF. Identificación (diablillo): 32A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 205W. Tecnología: DMOS, QFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41

Documentación técnica (PDF)
FQP9N90C
16 parámetros
DI (T=100°C)
2.8A
DI (T=25°C)
8A
Idss (máx.)
8A
Resistencia en encendido Rds activado
1.12 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
900V
Cantidad por caja
1
Función
Cambio rápido, carga de puerta baja 45 nC, Crss bajo 14 pF
Identificación (diablillo)
32A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
205W
Tecnología
DMOS, QFET
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Fairchild

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